NEC и Samsung разрабатывают терабитные чипы флэш-памяти

Ни дня кого не секрет, что потребительская электроника становится быстрее, дешевле, компактнее и функциональнее. Компании NEC и Samsung пытаются сохранить эту сложившуюся традицию и занимаются разработкой нового поколения флэш-памяти, в котором в едином "вертикальном" блоке будет находиться восемь чипов памяти (каждый толщиной около 50 микрометров) и один чип-контроллер. Друг с другом эти чипы будут сообщаться так называемыми "3D-соединениями" (то есть трехмерными). Все это позволит освоить выпуск очень ёмких, но при этом весьма компактных микросхем памяти.



Samsung утверждает, что в перспективе на ближайшие годы эта новая технология позволит создать флэш-чипы с памятью 1 терабит. Впрочем, вместе с тем работающие в корейской компании ученые замечают, что на данный момент разработки "многослойных" чипов флэш-памяти находятся на очень ранней стадии, поэтому ожидать появления на рынке подобных новинок в обозримом будущем пока все-таки не стоит.