Intel разрабатывает трехмерный транзистор
Компания Intel заявила, что собирается в этом году выпустить микропроцессор на "трехмерных" транзисторах. Это будет первый "выход в свет" транзисторов нового поколения, известных как tri-gate.
По утверждениям представителей компании, новое измерение в технологии производства транзисторов приведет к росту как производительности, так и энергетической эффективности процессоров. Чем же лучше 3D-транзисторы своих двухмерных собратьев?
Основная задача транзистора в логических схемах - находиться либо в закрытом, либо в открытом состоянии. Именно на "игре" состояний транзисторов строятся различные логические операции, которые и лежат в основе всех вычислений компьютера.
Как правило транзисторы изготавливаются из полупроводника - кремния. Они состоят из канала, соединяющего исток (source) и сток (drain), - основного пути электронов и затвора (gate), который позволяет или не дает току течь по каналу. Все выпускаемые до сих пор транзисторы были двухмерными в том смысле, что исток, сток и канал находились в одной плоскости.
В новых трехмерных транзисторах канал приобрел объемную форму, и затвор окружает его не с двух, как было раньше, а с трех сторон.
1 | 2 |
Технология tri-gate: затвор окружает канал с трех сторон все фотогалереи
Такая пространственная структура позволяет справиться с большой проблемой маленьких транзисторов: чем меньше размер компонентов, тем сложнее преградить путь току заряженных частиц через канал при закрытом затворе. В итоге размывается разница между проводимостью в закрытом и открытом состояниях, и - еще один неприятный момент - растет энергопотребление.
В трехмерных транзисторах за счет большей площади контакта канала и затвора контролировать проводимость получается лучше: затвор становится надежней. Это позволяет производить дальнейшую миниатюризацию транзисторов, что должно привести в итоге к росту производительности процессоров.
Intel не первая догадалась о преимуществах трехмерной структуры транзисторов, она была предложена еще в конце 90-х годов. Проблема тут была технологическая: разместить атомы кремния в нужную пространственную структуру без ошибок чрезвычайно сложно. Как именно удалось решить эту задачу, компания не уточняет.
Процессор на tri-gate-транзисторах будет выполнен по 22 нанометровой технологии. В дальнейшем планируется уменьшение до 14 нанометров.
По утверждениям представителей компании, новое измерение в технологии производства транзисторов приведет к росту как производительности, так и энергетической эффективности процессоров. Чем же лучше 3D-транзисторы своих двухмерных собратьев?
Основная задача транзистора в логических схемах - находиться либо в закрытом, либо в открытом состоянии. Именно на "игре" состояний транзисторов строятся различные логические операции, которые и лежат в основе всех вычислений компьютера.
Как правило транзисторы изготавливаются из полупроводника - кремния. Они состоят из канала, соединяющего исток (source) и сток (drain), - основного пути электронов и затвора (gate), который позволяет или не дает току течь по каналу. Все выпускаемые до сих пор транзисторы были двухмерными в том смысле, что исток, сток и канал находились в одной плоскости.
В новых трехмерных транзисторах канал приобрел объемную форму, и затвор окружает его не с двух, как было раньше, а с трех сторон.
1 | 2 |
Технология tri-gate: затвор окружает канал с трех сторон все фотогалереи
Такая пространственная структура позволяет справиться с большой проблемой маленьких транзисторов: чем меньше размер компонентов, тем сложнее преградить путь току заряженных частиц через канал при закрытом затворе. В итоге размывается разница между проводимостью в закрытом и открытом состояниях, и - еще один неприятный момент - растет энергопотребление.
В трехмерных транзисторах за счет большей площади контакта канала и затвора контролировать проводимость получается лучше: затвор становится надежней. Это позволяет производить дальнейшую миниатюризацию транзисторов, что должно привести в итоге к росту производительности процессоров.
Intel не первая догадалась о преимуществах трехмерной структуры транзисторов, она была предложена еще в конце 90-х годов. Проблема тут была технологическая: разместить атомы кремния в нужную пространственную структуру без ошибок чрезвычайно сложно. Как именно удалось решить эту задачу, компания не уточняет.
Процессор на tri-gate-транзисторах будет выполнен по 22 нанометровой технологии. В дальнейшем планируется уменьшение до 14 нанометров.
Ещё новости по теме:
18:20